Специалисты дизайн-центра разрабатывают как законченные изделия типа «Система на Кристалле» (СнК), так и отдельные «сложно-функциональные» (СФ) блоки, прототипы СнК и СФ блоков на основе программируемых логических интегральных схем (ПЛИС) и базовых матричных кристаллов (БМК).
Дизайн-центр поддерживает заводы-производители в части разработки библиотек стандартных элементов, памяти. А так же в части адаптации систем автоматического проектирования (САПР) для разработки цифровых, аналоговых и смешанных микросхем (PDK).
Основные заказчики и потребители разработок, ориентированы на рынки телекоммуникационного оборудования, изделий авиационной и космической промышленности.
Специалисты дизайн-центра ведут разработки по всему циклу проектирования: от системного уровня до разработки топологии. Наша компетенция позволяет подключаться к работам заказчика на любом этапе маршрута проектирования.
В части контрактного проектирования дизайн-центр принимает заказ по следующим основным направлениям:
Все разработки выполняются в соответствии со стандартами Системы Менеджмента Качества (СМК).
Дизайн-центр оснащен современным оборудованием и средствами проектирования от ведущих мировых компаний – Cadence, Mentor Graphics и др.
Коллектив сотрудников пополняется молодыми специалистами из ведущих в области микроэлектроники ВУЗов страны: МИЭТ, МИФИ, МИРЭА и др.
На уровне регистровых передач RTL (Register Transfer Level) проводится верификация СнК в ранее созданной среде и верификация программного обеспечения на поведенческом (TL) описании СнК, разработка синтезопригодного описания (RTL), проверка реализуемости архитектуры на регистровом уровне. В случае отрицательного результата происходит возврат на изменение спецификации, в случае положительного переходим на этап синтеза.
На этапе синтеза формируются принципиальные схемы для прошивки ПЛИС и для реализации СнК в выбранном технологическом базисе. Далее проектирование системы продолжается двумя параллельными путями: отладка ПО на макете на основе ПЛИС и завершение проектирования СнК в кремнии. В случае отрицательного результата в части выполнения требований по динамике – возврат на общесистемный уровень для перераспределения функций между аппаратной и программной частями, в случае положительного – завершение отладки ПО на макете на основе ПЛИС и выпуск прототипов СнК по стандартному маршруту:

Традиционный маршрут проектирования СНК
Но работа по этому маршруту выявила ряд проблем, которые усложняют проектирование и увеличивают время разработки. Традиционный маршрут проектирования с использованием существующей элементной базы и разработки программного обеспечения для реализации функций системы не позволяет в полном объеме применять современные технологические подходы. Разработка СнК по традиционному маршруту, без привязки к функциям системы, приводит к усложнению разработки программного обеспечения и проведению нескольких итераций при проектировании «Системы на Кристалле», что существенно увеличивает сроки и стоимость ее разработки.
В настоящее время среди ведущих разработчиков все более широкое применение находит маршрут проектирования СнК с использованием общесистемного уровня, позволяющий в заданные сроки разработать микросхему СнК, выполнив минимальное количество итераций при изготовлении макетных образцов, и получить совместимость с отладочным и прикладным программным обеспечением.
Общий системный уровень ESL (Entire System Level) состоит из трех основных этапов: Service + Specification (спецификация системы), Message Level (уровень сообщений) и Transaction Level (уровень передач).

Общесистемный уровень разработки
В случае невозможности реализации выполняется коррекция спецификации системы, в случае успешного результата проводится разделение задач на программную и аппаратную части.
Далее разработка частей системы (в части микроэлектроника, аппаратура и ПО) ведется параллельно, по традиционным маршрутам проектирования.
Указанный подход и соответствующие средства обеспечивают создание высококачественной системы в кратчайшие сроки.
На уровне регистровых передач RTL (Register Transfer Level) проводится верификация модуля в ранее созданной среде (схема принципиальная электрическая в базисе ИС средней степени интеграции) и ранее используемыми тест-векторами для тестирования модулей в серийном производстве, разработка синтезопригодного описания (RTL) и Test banch в форматах выбранных САПР для проектирования ПЛИС, ASIC или БМК.
На этапе синтеза формируются принципиальные схемы для прошивки ПЛИС и для реализации ASIC или БМК в выбранном технологическом базисе. Далее проектирование системы может продолжаться двумя параллельными путями: прошивка ПЛИС и тестирование в составе аппаратуры или завершение проектирования ASIC/БМК в кремнии. В случае положительного результата – тестирование рабочим ПО на макете на основе ПЛИС или на основе ASIC/БМК.
Данный маршрут позволят в кратчайшие сроки и высоким качеством модернизировать серийную аппаратуру, отказаться от импортной ЭКБ или ЭКБ снятой с производства, улучшить показатели по массо-габаритам и энергопотреблению.

Маршрут проектирования СБИС для модернизации серийной аппаратуры